Sprint-Layout транзистор Схема:


Большинство Подключение теа2025в имеющихся в продаже электронно-механических 1n3228 диод характеристика часов, хотя Sprint-Layout транзистор и носят разные Схемы на ir2104 названия, устроены практически одинакоSprint-Layout транзистор во. В них Подключение теа2025в установлена микросхема, формирующая 1n3228 диод характеристика импульсы тока с периодом Sprint-Layout транзистор 1 с. Импульсы поступают Схемы на ir2104 на миниатюрный шаговый Sprint-Layout транзистор двигатель, приводящий в движение стрелки часов. Sprint-Layout транзистор Эталоном Sprint-Layout транзистор частоты, определяющим Подключение теа2025в точность хода, служит кварцевый 1n3228 диод характеристика резонатор на Sprint-Layout транзистор 32768 Гц. Сигнал Схемы на ir2104 будильника включают механические контакты, Sprint-Layout транзистор замыкающиеся при Подключение теа2025в совмещении часовой стрелки 1n3228 диод характеристика со стрелкой будильника.

Этими Sprint-Layout транзистор же контактами можно Схемы на ir2104 включать в заданное время Sprint-Layout транзистор и внешние по отношению к часам Sprint-Layout транзистор электроприборы Sprint-Layout транзистор - например Подключение теа2025в осветительные. Но чтобы сделать 1n3228 диод характеристика устройство безопасным, Sprint-Layout транзистор необходима гальваническая развязка Схемы на ir2104 между контактами будильника и Sprint-Layout транзистор цепью сетевого Подключение теа2025в питания включаемого прибора. 1n3228 диод характеристика Узел управления внешним электроприбором Sprint-Layout транзистор должен надежно срабатывать от Схемы на ir2104 напряжения, снимаемого с Sprint-Layout транзистор конт актов, а оно не может превышать Sprint-Layout транзистор 1,Sprint-Layout транзистор 2... 1,Подключение теа2025в 5 В — напряжения, 1n3228 диод характеристика питающего часы Sprint-Layout транзистор гальванического элемента или Схемы на ir2104 аккумулятора.
Один из элементов, Sprint-Layout транзистор который позволяет Подключение теа2025в выполнить эти требования, 1n3228 диод характеристика — тринисторный оптрон АОУ103В, Sprint-Layout транзистор состоящий из ИК излучающего Схемы на ir2104 диода и фото-динистора. Sprint-Layout транзистор Между ними имеется оптическая связь, но Sprint-Layout транзистор нет Sprint-Layout транзистор электрической. Прямое Подключение теа2025в падение напряжения на ИК 1n3228 диод характеристика диоде не Sprint-Layout транзистор превышает 1,2 Схемы на ir2104 В.

На рис. 1 Sprint-Layout транзистор показана схема Подключение теа2025в соединенной с часами 1n3228 диод характеристика приставки, включающей лампу EL1 Sprint-Layout транзистор при срабатывании будильника. Здесь Схемы на ir2104 DD1, ZQ1, НА1 Sprint-Layout транзистор — элементы схемы часов: G1 — Sprint-Layout транзистор питающий Sprint-Layout транзистор их гальванический Подключение теа2025в элемент; S1 — контакты 1n3228 диод характеристика будильника.

Следует Sprint-Layout транзистор отметить что подключаться Схемы на ir2104 надо не к самому Sprint-Layout транзистор контакту, показанному Подключение теа2025в на схеме подвижным, 1n3228 диод характеристика а к печатному проводнику, Sprint-Layout транзистор соединяющему соответствующую контактную площадку Схемы на ir2104 на плате электронного Sprint-Layout транзистор блока часов с микросхемой DD1. В Sprint-Layout транзистор противном Sprint-Layout транзистор случае будет Подключение теа2025в невозможно выключить будильник имеющимся 1n3228 диод характеристика в часах Sprint-Layout транзистор выключателем.
В исходном Схемы на ir2104 состоянии ток через излучающий Sprint-Layout транзистор диод не Подключение теа2025в течет, фотодинистор оптрона 1n3228 диод характеристика закрыт, а лампа EL1 Sprint-Layout транзистор не горит. При срабатывании Схемы на ir2104 будильника на излучающий Sprint-Layout транзистор диод через резистор R1, ограничивающий ток, Sprint-Layout транзистор поступает Sprint-Layout транзистор напряжение элемента Подключение теа2025в G1. Открывшийся фотодинистор замыкает 1n3228 диод характеристика цепь питания Sprint-Layout транзистор лампы. Благодаря диодному Схемы на ir2104 мосту VD1 напряжение, приложенное Sprint-Layout транзистор к фотодинистору, Подключение теа2025в имеет одинаковую полярность 1n3228 диод характеристика в любом полупериоде сетевого Sprint-Layout транзистор напряжения.

Так как допустимый Схемы на ir2104 ток фотодинистора оптрона Sprint-Layout транзистор АОУ103В всего 100 мА, мощность лампы Sprint-Layout транзистор EL1 Sprint-Layout транзистор или устройства, Подключение теа2025в подключенного вместо нее, не 1n3228 диод характеристика должна превышать Sprint-Layout транзистор 20 Вт, а Схемы на ir2104 с учетом неизбежного броска Sprint-Layout транзистор тока при Подключение теа2025в включении лампы — 1n3228 диод характеристика еще меньше. Чтобы коммутировать Sprint-Layout транзистор нагрузку большей мощности, приставку Схемы на ir2104 нужно дополнить мощным Sprint-Layout транзистор симистором, которым будет управлять фотодинистор. Схема Sprint-Layout транзистор такого Sprint-Layout транзистор варианта показаПодключение теа2025в на на рис. 2. Теперь 1n3228 диод характеристика можно управлять Sprint-Layout транзистор нагрузкой мощностью до Схемы на ir2104 2 кВт, не забыв, Sprint-Layout транзистор конечно, снабдит Подключение теа2025в симистор тепло-отводом соответствующего 1n3228 диод характеристика размера.
Динисторный оптрон АОУ103В Sprint-Layout транзистор можно заменить на АОУ115Г Схемы на ir2104 или АОУ115Д. Если Sprint-Layout транзистор заменить динисторный оптрон симисторным серии АОУ160, Sprint-Layout транзистор можно Sprint-Layout транзистор исключить из Подключение теа2025в приставки диодный мост. Вместо 1n3228 диод характеристика симистора ТС106-10 Sprint-Layout транзистор можно применить КУ208В, Схемы на ir2104 КУ208Г или подходящий импортный, Sprint-Layout транзистор например, ВТ137-600. Подключение теа2025в Диодный мост КЦ407А 1n3228 диод характеристика можно заменить на КЦ402А—КЦ402Г Sprint-Layout транзистор или собрать его из Схемы на ir2104 отдельных диодов, например, Sprint-Layout транзистор КД105Б

Налаживание приставки сводится к подборке Sprint-Layout транзистор резистора Sprint-Layout транзистор R1 Здесь Подключение теа2025в требуется найти компромиссное решение-Экономнее 1n3228 диод характеристика расходовать энергию Sprint-Layout транзистор элемента G1 позволит Схемы на ir2104 резистор большего номинала, но Sprint-Layout транзистор по мере Подключение теа2025в ее разрядки ток 1n3228 диод характеристика через излучающий диод раньше Sprint-Layout транзистор станет недостаточным для включения Схемы на ir2104 фотодинистора. С резистором Sprint-Layout транзистор меньшего номинала элемент будет разряжаться быстрее, Sprint-Layout транзистор но Sprint-Layout транзистор приставка перестанет Подключение теа2025в работать при меньшем напряжении. 1n3228 диод характеристика Если в Sprint-Layout транзистор наличии имеются несколько Схемы на ir2104 оптронов, нужно выбрать тот, Sprint-Layout транзистор фотодинистор которого Подключение теа2025в откроется при меньшем 1n3228 диод характеристика токе через излучающий диод.
Sprint-Layout транзистор Приставка, собранная автором, устойчиво Схемы на ir2104 работает при напряжении Sprint-Layout транзистор не менее 1,25 В. Ток Sprint-Layout транзистор излучающего Sprint-Layout транзистор диода при Подключение теа2025в таком напряжении — 1n3228 диод характеристика 5,5 мА. Sprint-Layout транзистор При 1,5 Схемы на ir2104 В он достигает 11 Sprint-Layout транзистор мА.



И. Подключение теа2025в НЕЧАЕВ, г. Курск