Термобиметаллический датчик ТМ108, применяемый в качестве реле включения электровентилятора в системе охлаждения двигателя, очень часто выходит из строя. В жаркую погоду, в условиях интенсивного городского движения электровентилятор работает почти беспрерывно. В результате подгорают контакты датчика включения вентилятора, а восстановить их невозможно. После неоднократных замен этого датчика я изготовил электронное реле, где в качестве датчика используется "штатный" терморезистивныи д

Схема простого мощного усилителя с максимальной выходной мощностью 50 Вт (U пит = 24В) на нагрузке 8 ом на микросхеме TDA2025. Наладка не требуется. Микросхема TDA2025 стоит в среднем 200 рублей. Напряжение питания 12-35 В. Динамик сопротивлением 4-8 Ом. Возможно применение как для домашней акустики, так и в качестве усилителя для сабвуфера. Микросхема выполнена в пластмассовом корпусе SIP-S с 7 выводами. Рекомендуется установить теплоотвод площадью не менее 120 кв.см. На входе с

Название: Радиомир №05 2011 Год выхода: 2011 Номер: 5 Страниц: 52 Формат: DJVU, гиперссылки из оглавления Качество: Хорошее Язык: Русский Размер: 3.76 Мб Содержание номера Показать / Скрыть текст В МИРЕ ОЖИВШИХ ЗВУКОВ Эволюция транзисторных УМЗЧ Эволюция электронных усилителей (Краткая историческая справка) Фильтр для АС "без конденсаторов" Из недр Интернет. "ТАНЦУЕМ" ОТ ПИТАНИЯ 10-киловаттный ИИП для концертного усилителя Электронный балласт для люминесцентных ламп

Данное издание представляет собой энциклопедию по микросхемам, часто используемым для создания аудиоаппаратуры различных классов. Дается детальное описание принципа работы ИС, предложены оптимальные схемные решения. Подробные и доступные объяснения сопровождаются схемами и графиками, приведено много примеров практических схем с комментариями и полезной обобщающей информацией. Справочник предназначен для разработчиков радиоаппаратуры и техников, а также студентов технических вузов. Он буд

Схема очень проста. Используется 3 транзистора КТ315 и один резистор на 10 КОм. Транзисторы соединены цепочкой для мощного усиления. Коллектор последнего транзистора подключается к джамперу на материнской плате, куда раньше была подключена кнопка (Power_SW). Эмиитер этого транзистора - рядом на джампер, который является землей/корпусом/черным проводом (это легко проверить, прозвонив мультиметром, на корпус сопротивление = 0). На базу первого транзистора поступает напряжение +5 В деж

Характеристики и передатчика: дальность 180м при питании 4в и 350м при УВЧ питание:1,5...12в передатчик передаёт сигнал с частотной модуляциёй при хорошей чувствительностью микрофона антенна кусок провода длинной 60см Детали: транзистор Т1 можно исключить а на С4 подавать НЧ сигнал варикап-любой транзисторы-Т1 КТ3102Е,Т2-КТ368 или S9018 дроссель L1 на 100мкг катушка L1 4вит проводом 0,5мм на каркасе 5мм дополнение к передатчику усилитель мощности!!! усилитель мощности с П-конту

Микрофон для обнаружения слабых акустических сигналов на микросхеме К237УН1 Предлагаемое устройство собрано на широко распространенной микросхеме типа К237УН1 и предназначено для обнаружения слабых акустических сигналов. В схеме использован электретный микрофон типа МКЭ-333. Сигнал с микрофона M1 поступает на вход микросхемы DA1 типа К237УН1, которая представляет собой усилитель низкой частоты. Усилитель включен по типовой схеме. Транзисторы VT1 типа КТ315 и VT2 типа КТ361 выполняют роль эми

В даной статье представлена схема простой в изготовлении охраной сигнализации для ипользования в комплекте с GSM (и не только) сотовым телефоном. Данная схема позволяет управлять на сотовом до 9 номеров (нарисовано на 2). Номера вызываются поочерёдно, после того как был сброшен вызов или произошёл сбой при наборе, или вызываемый абонент оказался недоступен. Также схема позволяет принять сигнал на снятие с охраны на безграничное число номеров занесённых в фильтр, тем самым защищая от посторонних

Введение: Маломощный (от 1 до 500 Вт) трансформатор на частоте 50 Гц, в частности, силовой трансформатор блока питания может быть рассчитан по следующим приближенным формулам * P = SUnIn/K (n # 1) * S = 1.15*P1/2 * Ni = Ui*50/S * I1 = P/U1 * Di = 0.6*(Ii)1/2 (исходя из максимально допустимой плотности тока в обмотке 3.5 А/мм2) где P - мощность трансформатора, Вт; Ui - напряжение i-й обмотки, в частности, U1 - напряжение первичной обмотки, В; Ii - ток i-й обмотки, в частности, I1 - ток п

Ежемесячный электронный журнал для тех, кто интересуется электроникой.На страницах журнала Вы сможете регулярно ознакамливаться с наиболее интересными новостями из мира электроники, первыми читать обзорные и обучающие статьи. Схемы, печатные платы, методика настройки РЭА - основные темы издания. Содержание: * НОВОСТИ Hittite представила первый в отрасли монолитный перестраиваемый режекторный фильтр Melexis начала производство бесконтактных микроэлектромеханических инфракрасных дат