В книге приведено самое полное описание устройств на полевых транзисторах. Особое внимание уделено новым классам этих приборов — мощным полевым транзисторам различного типа, IGBT и интегральным микросхемам на их основе. Даны основы теории, расчета и описание работы самых различных схем на полевых транзисторах: ключей, электронных регуляторов, импульсных и резонансных источников электропитания, высокоскоростных импульсных устройств, формирователей мощных импульсов, усилителей и генераторов

Представлена эволюция формирования основных семейств мощных ключевых устройств. Приведены базовые структуры полупроводниковых ключей, их характеристики, способы управления и защиты. Рассмотрены основные режимы работы силовых ключей и отличительные моменты их использования в устройствах преобразования электрической энергии. Для специалистов, занимающихся применением полупроводниковых ключей, и разработчиков силовых схем. СОДЕРЖАНЕ: Внимание! У вас нет прав для просмотра скрытого те

Приведены практические схемы различных узлов радиоэлектронный аппаратуры, построенные с использованием полевых транзисторов: микшеров, предварительных усилителей, усилителей мощности. Даны рекомендации по регулировке и замене деталей. СОДЕРЖАНИЕ: Применение полевых транзисторов в режиме усиления - Усилитель с общим истоком - Истоковый повторитель - Дифференциальные усилители - Симметричные усилители - Расчёт многокаскадного усилителя Практические схемы на полевых транзисторах

В книге представлена эволюция развития семейств мощных ключевых приборов. Приведены базовые структуры полупроводниковых ключей, их характеристики, методы управления и защиты. Рассмотрены особенности их применения в устройствах энергетической электроники. Исправлены опечатки и неточности, обнаруженные в первом издании книги. Существенно переработан раздел 7.1, представляющий самые современные достижения в области разработок силовых ключей, в книгу включен также материал по созданию перспекти

Каталог фирмы Arlight по источникам питания для светодиодных лент и мощных светодиодов за 2011 год. СОДЕРЖАНИЕ: Герметичные источники питания AC/DC * Герметичные источники питания в алюминиевом корпусе * Герметичные источники питания в пластиковом корпусе Источники напряжения в закрытом металлическом кожухе AC/DC * Источники напряжения серий HTSP, DKSP * Источники напряжения серий HTS * Источники напряжения серии DKS * Источники напряжения серии GKS Малогабаритные ис

Освещены физические аспекты работы биполярных и полевых транзисторов, все схемы проанализированы с первооснов. Глава о производстве интегральных схем выделяет эту книгу из ряда аналогичных изданий. Краткое содержание: Предисловие Благодарности Глава 1. Введение в полупроводники Глава 2. P-n-переход Глава 3. Биполярный транзистор Глава 4. Проектирование и анализ схем на постоянном токе Глава 5. Анализ усилителей малого сигнала на биополярных транзисторах с помощью r-параметров Г

В книге изложены физические и технические основы создания и применения импульсов высокого напряжения с очень большой мощностью и энергией. В первой части описаны компаненты, материалы и методы измерений, используемые в технике получения импульсов. Во второй части - некоторые из наиболее перспективных применений этой техники в биоэлектрике поверхностной обработке металлов, медицине, селективном размельчении различных материалов и т. д., а именно: генераторы мощных импульсов электрического

Схема: В заметке «За рубежом» журнала «Радио» 1978, № 6, с. 61 описано устройство, позво­ляющее определять полярность напряже­ния источников питания в интервале от 4 до 30 В. При повторении этой конструкции оказалось, что индикатор можно сущест­венно упростить, если использовать в качестве токостабилизируюшего устройства полевой транзистор. На рисунке изображена схема предлагаемого индикатора. Он содержит две токостабилизируюшие цепочки на полевых транзисторах V4 и Vs, затвор и исток

Схема: Для минимизации нелинейных искажений в усилителях требуется попарный подбор комплементарных транзисторов по крайней мере по коэффициенту их усиления. Особую важность это приобретает для мощных (сценических) УМЗЧ, в которых используется по несколько запараллеленных акустических систем. Если для подбора маломощных транзисторов достаточно "китайских" мультиметров с режимом "бетирования", то для мощных транзисторов проблема измерения коэффициента их усиления (h21e) осложняется ещ

Если в схеме совместно с таймером использовать операционный усилитель на полевых транзисторах (3140), то диапазон тактовых импульсов таймера 555 может быть увеличен в 100 раз. Вывод 7 таймера 555 переключает приложенное напряжение временной определяющей цепи между V+ и заземлением. Выбранное отношение для резисторов R.2— R3 может варьироваться в широком диапазоне. Прямоугольное напряжение на резисторе R3 будет минимум 50 мВ. На выходе таймера присутствует прямоугольный импульс. Напря­ж