Частота вспышек светодиода меняется подбором номинала R1 и С1. R1 может быть в пределах 1,2…3,3кОм, R2 - 220…330 ом. Ток потребления генератора при напряжении питания 6В около 10 mA.

В книге приведено самое полное описание устройств на полевых транзисторах. Особое внимание уделено новым классам этих приборов — мощным полевым транзисторам различного типа, IGBT и интегральным микросхемам на их основе. Даны основы теории, расчета и описание работы самых различных схем на полевых транзисторах: ключей, электронных регуляторов, импульсных и резонансных источников электропитания, высокоскоростных импульсных устройств, формирователей мощных импульсов, усилителей и генераторов

Микросхема КР1156ЕУ5 разработана специально для использования в источниках питания. Но, как оказалось, она может найти применение во множестве самых разнообразных устройств. На ее основе могут быть построены генераторы импульсов, всевозможные индикаторы и сигнализаторы, терморегуляторы, охранные устройства, а также другие полезные конструкции. 33 подобных схемы и приведены в этой книге. Все они используют нетрадиционное включение КР1156ЕУ5. Все конструкции, естественно, были собраны и про

Схема: Этот генератор может служить источником высоковольтных импульсов для электроограждения, для активного охранного устройства или для устройства самозащиты. Он вырабатывает импульсы переменного напряжения амплитудой 15-20 kV при питании от источника напряжением 12 V, и амплитудой 5-6 KV при питании от источника 4,5-6 V. Принципиальная схема генератора показана на рисунке 1. Устройство: На однопереходном транзисторе VT1 построен импульсный генератор, который вырабатывает импуль

Генератор собран на логической микросхеме. При нажатии кнопки S1 в случайном порядке загорается один из светодиодов. VD1, VD2 - АЛ307, АЛ102 или другие аналогичные.

В книжке досконально рассматриваются ключевые вопросы, связанные с конструированием стандартных однотранзисторных усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Приводятся любые приемы установки режимов работы транзисторов по неизменному току, рассматриваются способы анализа усилительных каскадов на биполярных транзисторах для переменных сигналов, и еще ведется сам таковой тест для неких стереотипных схемотехнических решений, в т.ч. и с цепями внутрикаскадных ООС. В книжку вошли многоо

Недавно нашел на просторах интернета довольно таки интересную схемку усилителя, вся прелесть данной схемы в том, что при своей простоте исполнения мы имеем вполне приемлемое качество звука, и к тому же, данная схема не требует никаких настроек и работает сразу после сбора, конечно при условии правильного монтажа. Вот схема данного УНЧ: Вот вид собранного мною УНЧ: Работает хорошо, шума нет, транзисторы не греются. Ну и печатная плата: Вы не можете скачивать файлы с нашего серве

Данная схема работает у меня более года, она обеспечивает более плавную регулировку, чем схема регулятора на одном транзисторе. Rt - Теpмоpезистоp с отpицательным ТКЕ номиналом 10 - 40 КОм; Теpмоpезистоp кpепится чеpез тонкую изолиpующую пpокладку к pадиатоpу высоковольтных тpанзистоpов . Hастpойку производил так, чтобы при касании терморезистором горячей(~50-60C) поверхности вентилятор набирал максимальные обороты.

Рассмотрены основные типы импульсных устройств и пути их реализации с помощью цифровых и аналоговых микросхем. На конкретных примерах показаны способы применения импульсных устройств в радиолюбительской и промышленной бытовой аппаратуре. Для широкого круга радиолюбителей. СОДЕРЖАНИЕ: Предисловие - 3 1. ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПОЛОЖЕНИЯ - 4 1.1.Импульсы и их параметры - 4 1.2.RC-цепи - 6 1.3.Воздействие RC-цепи на последовательность прямоугольных импульсов - 12 1.4.Генераторы

Высоковольтный генератор (ВГ) состоит из мощного двухтактного VT1, VT2 автогенераторного преобразователя (АП) 9-400 В; выпрямителя VD3-VD7; накопительного конденсатора С; формирователя импульсов разряда на однопереходном транзисторе VT3; коммутатора VS и высоковольтных импульсных трансформаторов Т2а,Т2б. Т1 выполнен на кольце М1500НМ3 28х16х9. Первой наматывают обмотку W2 (400 витков D 0.01) и тщательно изолируют. Затем наматывают обмотки W1a, W1б (no 10 витков D 0.5) и базовую обмотку Wб